目前，中國已經具備7納米單片機IC芯片刻蝕機的實際使用能力，而且基本上掌握了最先進的5納米工藝技術。

中國第一次做出了與世界最先進水平同步的刻蝕機，而且，在刻蝕機核心部件方面也有著獨特的技術優勢。比如作為7納米刻蝕機核心部件的氣體噴淋盤，中國研制了等離子體增強的物理氣象沉積金屬陶瓷材料，大幅增強了氣體噴淋盤材料的性能。這種噴淋盤相比國外當前采用的不僅造價更低，壽命還更長。

目前，所有單片機IC芯片巨頭制定的工藝制程的可實現性都由光刻機與刻蝕機的性能來決定，也就是說如果芯片加工廠要達到7納米這樣的關鍵技術指標，其生產過程使用到的光刻機與刻蝕機就必須具有7納米的工藝能力。

而高端光刻機相關技術的門檻極高，目前光刻機領域的龍頭老大也只有荷蘭的一家公司，它壟斷了高端光刻機市場，而且對于中國來說，有錢也不一定能買到（中國在其限制購買的名單中）。

所以中國在刻蝕機上尋找機會，打破技術僵局。

在上世紀80年代，等離子體刻蝕技術就廣泛的應用到了集成電路IC領域中，但由于刻蝕時具有復雜的物理和化學過程，加上需要用到電感耦合等離子體源等核心部件以及高真空度來保證等離子體的質量，所以這種儀器仍然是有技術門檻的高科技儀器。且國際市場上，刻蝕機主要都是國外企業制造，而且這些巨頭為了謀求更大的利益已經開始走向合并，一旦格局成型，就可能演變為光刻機那樣一家獨大的局面。

所幸的是，現在來自國內的半導體設備企業已經迅速崛起，在刻蝕機這一塊也是參與國際競爭的玩家了。

刻蝕機制造是一個系統性的工程，對于刻蝕機這種加工精度極高的設備，其對機械精度要求很高，這既需要用到精密加工機床等設備，同時等離子體源等核心部件的設計也都會影響到設備的精度.

正是由于自主研發生產出了具有國際競爭力的等離子光刻機，美國隨之把等離子刻蝕機從對中國控制的單子上去掉了，不過這種遲到“施舍”我們已經不需要了，國內的半導體企業還需要繼續加力，突破更多技術難關，讓國外有機會向中國“解禁”更多的名單。正如深圳英銳恩科技有限公司一樣，由單片機IC芯片代理商逐漸轉型為自主研發單片機IC芯片，十年的發展沉淀，專業的團隊給予技術支持，逐步實現做有價值的“芯”方案解決商的企業愿景。