在嵌入式系統中，FLASH和EEPROM能夠存儲可用于通信或執行某些功能的數據。它們可以通過多種不同的串行協議（包括SPI或串行外圍設備接口）來連接存儲設備。英銳恩單片機開發工程師介紹，在單片機中也集成了多種不同類型的SPI存儲設備，包括FLASH和EEPROM。

在本文中，英銳恩單片機開發工程師將FLASH和EEPROM兩者之間的關系以及背景進行了比較。

一、FLASH和EEPROM之間的差異

SPI閃存和EEPROM均被視為非易失性存儲器。非易失性存儲器意味著該設備能夠保存數據且無需持續供電，即使關閉電源也能保存數據信息。它們都是電子可寫和可擦除存儲器，用以存儲單片機的應用程序及數據信息。這些數據可在芯片上或芯片外存儲信息。

盡管FLASH和EEPROM設備都可以存儲嵌入式設備中使用的信息，但是它們的體系結構和用于讀取，寫入和擦除數據的操作略有不同。而EEPROM指的是電可擦可編程只讀存儲器是一種存儲器，可以在字節級別讀取，寫入和擦除數據。另一方面，FLASH是EEPROM的一種，在結構上以塊的形式排列，在塊中擦除數據，并且可以在字節級別讀取或寫入數據。

二、使用閃存與EEPROM有什么優缺點？

使用閃存或EEPROM設備有很多優點和缺點：

英銳恩單片機開發工程師介紹，由于EEPROM以字節為單位運行其擦除功能，因此這增加了清除和編輯設備所花費的時間，但允許開發人員在需要時編輯特定部分。閃存能夠擦除大量數據，從而大大提高了擦除速度，并使設備可以更緊湊地存儲信息。但是，由于這個原因，它也失去了編輯某些字節的能力，從而迫使開發人員在進行任何更改時都重寫整個數據塊。

在存儲設備上執行多個擦除和寫入周期將導致其最終隨著時間的推移而降級。使用EEPROM的優點之一是使用壽命更長。EEPROM在其生命周期內最多可以執行1000000個擦除/重寫周期。根據閃存的類型，閃存的使用壽命會縮短，大多數閃存產品在磨損開始惡化存儲完整性之前，能夠承受大約10000至1000000次擦除/寫入循環。另外，就大小和成本而言，閃存具有比EEPROM更小的存儲單元尺寸，并且實現成本更低。

三、EEPROM和FLASH的類型

EEPROM和FLASH有不同類型。EEPROM支持串行和并行訪問，串行EEPROM通過I2C或SPI等串行協議進行接口。因此，它包括數量有限的引腳，并且能夠在最少數量的線路上進行操作-通常為2至4條。

并行EEPROM通過使用8位總線的并行通信進行接口，并且需要額外的引腳才能運行-通常最多28到32。盡管并行EEPROM的運行速度比串行EEPROM要快，但由于其簡單性，因此首選串行EEPROM，包括SPI和I2C EEPROM。I2C和SPI在眾多芯片中被廣泛使用。

英銳恩單片機工程師介紹，閃存也有多種類型，其中最常見的是NAND和NOR閃存。NOR和NAND閃存為某些應用提供不同的優勢。NOR閃存提供更快的讀取速度和隨機訪問功能，而NAND閃存更適合于快速寫入和擦除數據。與NOR閃存相比，NAND閃存更常用，因為它針對高密度存儲進行了優化，并且由于不具有隨機訪問功能，因此能夠實現更小的芯片尺寸和單位成本。

四、FLASH與EEPROM應用

SPI閃存已在嵌入式行業中被廣泛使用，通常用于便攜式設備中的存儲和數據傳輸。常見設備包括電話、平板電腦和媒體播放器，以及工業設備，如安全系統和醫療產品。閃存對于靜態數據應用（例如USB閃存驅動器）有大作用。而EEPROM在嵌入式應用中也很常見，并且經常用于在計算機、電子系統和設備中存儲最少的數據量。

以上就是英銳恩單片機開發工程師分享的CAN協議的歷史與應用場景。英銳恩專注單片機應用方案設計與開發，提供8位單片機、16位單片機、32位單片機、運放芯片和模擬開關。