深圳單片機(jī)開發(fā)方案公司英銳恩要說明單片機(jī)芯片生產(chǎn)工藝對(duì)單片機(jī)芯片良率的影響是至關(guān)重要的。這些因素可以細(xì)化到單片機(jī)芯片工藝制程步驟數(shù)量、單片機(jī)生產(chǎn)工藝制程周期、還有封裝和最終測(cè)試，都影響著單片機(jī)芯片工藝良品率。

專注電子產(chǎn)品方案開發(fā)的英銳恩說明以上三點(diǎn)對(duì)單片機(jī)性能的影響。

  單片機(jī)芯片工藝制程步驟的數(shù)量。工藝制程步驟的數(shù)量被認(rèn)為是晶圓廠CUM良品率的一個(gè)限制因素。步驟越多，打碎晶圓或?qū)A誤操作的可能性就越大。這個(gè)結(jié)論同樣適用于晶圓電測(cè)良品率。隨著工藝制程步驟數(shù)的增加，除非采取相應(yīng)措施來降低由此帶來的影響，晶圓背景缺陷密度將增加。增加的背景缺陷密度會(huì)影響更多的芯片，使晶圓電測(cè)良品率變低。

  單片機(jī)芯片工藝制程周期。晶圓在生產(chǎn)中實(shí)際處理的時(shí)間可以用天來計(jì)算。但是由于在各工藝制程站的排隊(duì)等候和工藝問題引起的臨時(shí)性減慢，晶圓通常會(huì)在生產(chǎn)區(qū)域停留幾個(gè)星期。晶圓等待時(shí)間越長(zhǎng)，受到污染而導(dǎo)致電測(cè)良品率降低的可能性就越大。向即時(shí)生產(chǎn)方式的轉(zhuǎn)變是一種提高良品率及降低由生產(chǎn)線存量增加帶來的相關(guān)成本的嘗試。

  單片機(jī)芯片封裝和最終測(cè)試良品率。完成晶圓電測(cè)后，單片機(jī)芯片晶圓進(jìn)入封裝工藝，被切割成單個(gè)芯片并被封裝進(jìn)保護(hù)性外殼中。在一系列步驟中也包含多次目檢和封裝工藝制程的質(zhì)量檢查。

  在封裝工藝完成后，封裝好的芯片會(huì)經(jīng)過一系列的物理、環(huán)境和電性測(cè)試，總稱為最終測(cè)試。最終測(cè)試后，第三個(gè)主要良品率被計(jì)算出來，即最終測(cè)試的合格芯片數(shù)與晶圓電測(cè)合格芯片數(shù)的比值。

  深圳單片機(jī)開發(fā)方案公司英銳恩打個(gè)總結(jié)，單片機(jī)生產(chǎn)良品率是通過各個(gè)生產(chǎn)環(huán)節(jié)來保證的，單片機(jī)芯片加工工藝是嚴(yán)謹(jǐn)?shù)沫h(huán)環(huán)相扣的。