關注單片機芯片產業的朋友們對碳化硅這種芯片材料并不陌生了，今天深圳單片機開發方案公司英銳恩圍繞碳化硅材料展開解析。碳化硅相較于硅的，其高耐壓及高耐溫性能優越，但是碳化硅問世十多年來并沒有得到市場大規模地轉化。究其原因就是碳化硅晶圓的制造及產能不順暢。

由于物理的特性，碳化硅材料擁有很高的硬度，目前僅次于金剛石，因此在生產上勢必要在高溫與高壓的條件下才能生產，一般而言，需要在2000°C以上高溫（硅晶僅需在1500°C），以及350MPa以上才能達成。若透過添加一些特殊的助燒劑，或者氣體沉積的方式，則可使碳化硅燒成溫度降到2000°C左右，且在常壓下就能進行。可見，雖然有長晶設備，但碳化硅晶圓的生產仍是十分困難，不僅是因為產能仍十分有限，而且品質十分的不穩定。

依據目前的硅晶業者的生產情況，一般而言，生產8吋的硅晶棒，需要約2天半的時間來拉晶，6吋的硅晶棒則需要約一天。接著，待晶棒冷卻之后，再進行晶圓的切片和研磨。

至于碳化硅晶圓，光長晶的時間，就約需要7至10天，而且生成的高度可能只有幾吋而已（硅晶棒可達1至2米以上），再加上后續的加工制程也因為硬度的影響而相對困難，因此其產能十分有限，品質也不穩定。

最近這五年，單片機芯片原材料碳化硅又開始受到重視，主要就是在電動車這類需要高功率元件的應用陸續浮出臺面，讓人們意識到碳化硅元件在耐高壓方面的優勢。

作為新興的單片機芯片原材料，碳化硅是在1200V以上的高壓有十分顯著的優勢，非常適合運用在電動車這類的應用上；GaN則是落在600V至1000V區間的應用上。

深圳單片機開發方案公司英銳恩對碳化硅原材料的觀點和司馬良亮一樣，持保守意見。目前碳化硅在臺灣的發展仍是比較慢，投入與采用的業者都不多，因此仍待時間觀察。至于晶圓材料產能的問題，還是需要時間沉淀才能改善基板短缺情況及生產的質量。