内部EEPROM读写验证
;本实战的目的是让大家熟悉PIC16F87X内部EEPROM的读写方法
;项目实现的功能：对于地址为00H-3FH的64个EEPROM数据存储单元，分别将数据0-63依次烧写进去，然后再循环读出，显示在8只LED发光二极管上
;程序文件名“MCD-EMP1.ASM"
;程序清单如下:
;************************************
STATUS EQU 3H ;定义状态寄存器地址
RP0 EQU 5H ;定义页选位RP0的位地址
RP1 EQU 6H ;定义页选位RP1的位地址
Z EQU 2H ;定义0状态位的位地址
PORTC EQU 7H ;定义RC口数据寄存器地址
TRISC EQU 87H ;定义RC口方向控制寄存器地址
EECON1 EQU 18CH ;定义写控制寄存器1的地址
EECON2 EQU 18DH ;定义写控制寄存器2的地址
EEDATA EQU 10CH ;定义读/写数据寄存器地址
EEADR EQU 10DH ;定义读/写地址寄存器地址
RD EQU 0 ;定义读启动控制位位地址
WR EQU 1 ;定义写启动控制位位地址
WREN EQU 2 ;定义写使能控制位位地址
EEPGD EQU 7 ;定义访问目标选择控制位位址
F EQU 1 ;定义目标寄存器为RAM的指示符
W EQU 0 ;定义目标寄存器为W的指示符
ADDR EQU 70H ;定义地址变量
DATA1 EQU 71H ;定义数据变量
;*************************************
ORG 0000H ;
NOP ;放置一条ICD必须的空操作指令
GOTO MAIN ;
ORG 0008H ;
MAIN
BCF STATUS,RP1 ;选体1为当前体
BSF STATUS,RP0 ;
MOVLW 00H ;设定RC全部为输出
MOVWF TRISC ;
BSF STATUS,RP1 ;体3为当前体
CLRF ADDR ;地址变量清0
CLRF DATA1 ;数据变量清0
WRITE
BSF STATUS,RP1 ;选定体3
BTFSC EECON1,WR ;上一次写操作是否完成
GOTO $-1 ;否！返回继续检测
BCF STATUS,RP0 ;选定体2
MOVF ADDR,W ;取地址
MOVWF EEADR ;送地址寄存器
MOVF DATA1,W ;取数据
MOVWF EEDATA ;送数据寄存器
BSF STATUS,RP0 ;选定体3
BCF EECON1,EEPGD ;选定EEPROM为访问对向
BSF EECON1,WREN ;开放写操作使能控制
MOVLW 55H ;
MOVWF EECON2 ;送55H到寄存器EECON2（读写内部EEPROM，这句是固定的）
MOVLW 0AAH ;
MOVWF EECON2 ;送AAH到寄存器EECON2（读写内部EEPROM，这句是固定的）
BSF EECON1,WR ;启动写操作
BCF EECON1,WREN ;禁止写操作发生
INCF DATA1,F ;数据递增
INCF ADDR,F ;地址递增
MOVF ADDR,W ;
XORLW D'64' ;将当前地址与64比较
BTFSS STATUS,Z ;检测=64否
GOTO WRITE ;否！继续写后面单元
READ1
DECF ADDR,F ;地址递减
BCF STATUS,RP0 ;选体2为当前体
BSF STATUS,RP1 ;
MOVF ADDR,W ;取地址
MOVWF EEADR ;送地址寄存器
BSF STATUS,RP0 ;选体3为当前体
BCF EECON1,EEPGD ;选定EEPROM为访问对象
BSF EECON1,RD ;启动读操作
BCF STATUS,RP0 ;体2为当前体
MOVF EEDATA,W ;取数据
BCF STATUS,RP1 ;体0为当前体
MOVWF PORTC ;送显LED
CALL DELAY ;调用廷时子程序
MOVF ADDR,F ;检测当前地址
BTFSS STATUS,Z ;是否为0？是！跳一步
GOTO READ1 ;否！返回继续读出和显示
READ2
INCF ADDR,F ;地址递增
BCF STATUS,RP0 ;选体2为当前体
BSF STATUS,RP1 ;
MOVF ADDR,W ;取地址
MOVWF EEADR ;送地址寄存器
BSF STATUS,RP0 ;选体3为当前体
BCF EECON1,EEPGD ;选定EEPROM为访问对象
BSF EECON1,RD ;启动读操作
BCF STATUS,RP0 ;体2为当前体
MOVF EEDATA,W ;取数据
BCF STATUS,RP1 ;体0为当前体
MOVWF PORTC ;送显LED
CALL DELAY ;调用廷时子程序
MOVF ADDR,W ;检测当前地址与64比较
XORLW D'64' ;
BTFSS STATUS,Z ;是否等于64
GOTO READ2 ;否！返回继续读出和显示
GOTO READ1 ;返回大循环起点
;******************************************
DELAY
MOVLW 0 ;
MOVWF 72H ;将外层循环参数值256送外层循环寄存器
DELAY1
MOVLW 0 ;将内层循环参数值256送内层循环寄存器
MOVWF 73H ;
DECFSZ 73H,1 ;递减廷时程序
GOTO $-1 ;
DECFSZ 72H,1 ;
GOTO DELAY1 ;
RETURN
;********************************************
END
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; 进入该实战演练的工序流程如下:
; 1.创建源文件和编辑源文件;在此介绍一种不同于前面讲的创建源文件的方法,用Windows附件中的”记事本”
; 这个为大家所熟知和好用的文件编辑器,并且可以方便的加入中文注释.不过有两点需要注意,一是注释前面的
; 分号”;”必须用西文半角输入;二是必须用”.asm”扩展名存储到事先建立的一个专用子目录下.
; 2.打开MPLAB集成开发环境:首先在WINDOWS环境下,选用开始>程序>Microchip MPLAB>MPLAB命令,启动MPLAB
; 并进入MPLAB的桌面.
; 3.创建项目:选用菜单File>New或Project>New Project,在事先建立的一个专用子目录下创建一个新项目,将
; 用记事本创建的源文件加入到该项目中.
; 4.建立项目中的目标文件:选择菜单Project >Build All(项目>建立所有文件),MPLAB将自动调用MPASM将项目
; 文件管理下的源文件(.asm)汇编成十六进制的目标文件(.hex).
; 5.ICD参数设置:通过菜单命令Project>Edit Project或者Option>Development Mode,将开发模式设置为
; ”MPLAB ICD Debugger”,点击OK按钮,打开ICD的工作窗口,在调试阶段,可以按照说明书图2-10设置各项,但需注意
; OSCILLATOR应设置为XT方式,尤其需要说明的是，选中“Enable Debug Mode”（使能调试模式）选项，在向目
; 标单片机烧写机器码程序时，会将调试临控程序同时写入单片机的指定程序存储器区域，然后才允许用ICD方式调试。
; 6.电路设置:将演示板的S1全部拔到ON，S13全部拔到OFF，S4,S5全部拔到OFF ，LCD不用插在演示板上，
; 将用于选择频率的插针跳线插到”XT OSC”位置上.
; 7.向目标单片机烧写目标程序:用户在点击功能按钮”Program”向目标单片机烧写机器码程序时,会等待一段时间，
; 并且在条状的状态信息栏中，出现提示信息。有一点需要引起注意，就是PIC16F87X单片机的FLASH程序存储器的擦写
; 周期是有限的，大约为1000次，应尽量节省它的使用寿命。
; 8.运行和调试用户程序和用户电路:在各项参数设置好后,将ICD的工作窗口最小化,利用前面讲的”运行及调试”中介
; 绍的几种方法进行调试.当用自动单步方式调试时,建议临时禁止廷时子程序发挥作用,具体的方法是,可在CALL DELAY指
; 令前添加一个分号,并且重新汇编一次.为了学习目的,在调试过程中可以人为地加入一些软件漏洞(BUG)或硬件故障,来模
; 仿单片机端口引脚的片内或片外故障.
; 9.定型烧写目标单片机;经过多次重复上述步骤的反复修改和调试,使得程序和电路在联机状态完全正常,这时可以进行
; 定型烧写,即将ICD窗口中的”Enable Debug Mode”(使能调试模式)选项消除,不再将调试临控程序写入单片机中.
; 10.独立运行验收:上一步中的烧写过程完成后,即可将ICD模块和ICD仿真头(或演示板)之间的6芯电缆断开,让单片机在
; 演示板独立运行,观察实际效果.
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