深圳單片機開發方案公司英銳恩為你帶來晶圓代工廠的資訊。電子產品開發越來越微型化與晶圓代工廠們工藝的不斷升級息息相關。晶元代工廠臺積電前不久試產了7nm EUV工藝，采用ASML的新式光刻機Twinscan NXE，完成了客戶芯片的流片工作，同時宣布5nm工藝將在2019年4月開始試產，量產則有望在2020年第二季度。

為什么說晶圓加工工藝的升級與電子產品產品開發微型化息息相關呢？因為晶元代工廠臺積電推出的7nm、5nm晶圓加工工藝意味著在同樣的材料中可以制造更多的電子元件，連接線也越細，精細度就越高，CPU的功耗也就越小。晶元代工廠臺積電在7nm EUV工藝上成功完成流片，證明了新工藝新技術的可靠和成熟，為后續量產打下了堅實基礎。相比臺積電第一代7nm深紫外光刻(DUV)技術，臺積電宣稱可將晶體管密度提升20%，同等頻率下功耗可降低6-12%。



而7nm之后，臺積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5)，將在多達14個層上應用EUV，號稱其可比初代7nm工藝的晶體管密度提升80%，芯片面積縮小45%，頻率提升15%，功耗降低20%。



而三星也宣布開始進行7nm LPP（Low Power Plus）工藝芯片的量產工作。三星的7nm LPP采用ASML的EUV光刻機，型號為雙工件臺NXE:3400B（光源功率280W），日產能1500片。



在技術指標上，對比10nm FinFET，三星7nm LPP可實現面積能效提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。目前已知，高通新一代的5G基帶會采用三星的7nm LPP工藝。

這些代工巨頭們在先進制程持續競賽，意味著EUV工藝就要正式產業化，這為打拼20多年的ASML帶來了全新的曙光，迎來了開掛態勢。



深圳單片機開發方案公司英銳恩引用一段專家分析，來更客觀地看待ASML的光刻設備。EUV光刻工藝今年正式量產只是一個開始，因為沉浸式光刻機的產能可達250 WPH，可以250W的光源長時間穩定運行，因此，EUV光刻155 WPH的產能雖然可喜可賀，但還需要持續精進。